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今天我給大家講講便攜式探傷儀靈敏度低的原因：
主要原因：
1.發(fā)射電路部分 1).電源電壓E過低 2).閘流管或可控硅導(dǎo)電時(shí)，內(nèi)阻太大。 3).觸發(fā)波重復(fù)頻率太高或閘流管的負(fù)載電阻R太大，使發(fā)射電路中電容C不能充電至電源電壓E。 4).電容C漏電 5).諧振式發(fā)射電路中，諧振頻率與探頭的自然頻率偏離太大。
2.接收電路部分 1).電子管或晶體管衰老。2).電子管或晶體管工作點(diǎn)(偏流或偏壓)不在*佳點(diǎn)。 3).電源電壓低(濾波電容漏電) 4).調(diào)諧回路調(diào)亂，放大頻率與發(fā)射頻率不一致。
3.便攜式探傷儀探頭部分 1).晶片的靈敏度低(發(fā)射及接收的靈敏度的乘積低)。 2).晶片的自然頻率與發(fā)射頻率或放大頻率不一致。3).晶片的銀層脫落 4).保護(hù)膜片磨損。 5).保護(hù)膜片與晶片之間的油層流失(有的探頭保護(hù)膜與晶片直接粘合)。 6).吸收塊阻尼太大。 7).晶片的阻抗與探頭引線的阻抗不匹配(如用低阻抗的電纜線連接高阻抗的石英晶片)。 8).探頭在超過其居里溫度的高溫工作物上探測(cè)效率低。 9).探頭線及插座頭接觸不佳。
4.示波管部分 1).偏轉(zhuǎn)靈敏度低。 2).加速極電壓過高。
檢查方法：
1.檢查發(fā)射電路 1).用萬用表測(cè)量超聲波測(cè)厚儀電源電壓是否過低 2).用萬用表測(cè)量閘流管(可控硅)的屏(陽)極電壓的平均值是否偏高或偏低 3).檢查電容C是否漏電 4).用脈沖示波器(或用外差式波長(zhǎng)計(jì))測(cè)量發(fā)射波的頻率是否符合。用試塊檢查時(shí)，將探頭放在試塊上，是熒光屏上有反射波，調(diào)整發(fā)射電路中線圈L的鐵心，是反射波*高
2.檢查接收電路 1).測(cè)量各級(jí)電壓是否正常。 2).檢查調(diào)諧頻率及放大倍數(shù)，有以下幾種方法：(1)將高頻信號(hào)發(fā)生器的輸出端接在接收電路的輸入端，將電壓表接在檢波電路的輸出端，改變高頻信號(hào)發(fā)生器的頻率(輸出電壓不變)，記下電壓表的數(shù)值。電壓*大時(shí)的頻率應(yīng)與發(fā)射頻率符合，并記下放大倍數(shù)。如頻率偏離過大，則需調(diào)整探傷儀各級(jí)線圈。 (2)將探頭放在試塊上，使熒光屏上有反射波，用示波器觀察各級(jí)屏極(或集電極)的波形是否上等比上等大(從前級(jí)往后級(jí))，如有上等波形不夠大，說明該級(jí)有問題。 (3)放大電路如系單調(diào)諧，將探頭放在試塊上，調(diào)各級(jí)線圈的鐵心，使反射波*高。 3).檢查電子或晶體管是否衰老。 4).調(diào)整工作點(diǎn)(電子管的陰極電阻、晶體管的射極電阻及基極分壓電阻)。5.檢查調(diào)諧線圈是否霉斷。
3.檢查探頭部分 1).首先用良好的探頭探測(cè)，如探傷儀靈敏度提高了，說明原探頭有問題，需換新。 2).如晶片退化，可重新電極化，有的儀器有極化插座，將探頭插在插座上，開機(jī)通電十分鐘即可。如無極化插座，在探傷儀內(nèi)部示波管的高壓回路中，引出適當(dāng)電壓即可。鈦酸鋇的極化電壓為每毫米2000伏，鋯鈦酸鉛為每毫米4000伏。晶片初次極化時(shí)，將晶片夾在夾具中，并侵入盛有變壓器油的容器中，并將容器放在電爐上，加溫至居里溫度(鈦酸鋇120℃，鋯鈦酸鉛300℃)后接通電壓，20分鐘后切斷電爐電源，使變壓器油自然冷卻至室溫時(shí)，將高壓關(guān)掉即可。 3).晶片的壓電性能可用簡(jiǎn)單的方法檢查，即用高靈敏度的電子管電壓表檢查，將地線一端壓在晶片的一端，將表棒稍用力壓晶片的另一端，看電壓表指針的偏轉(zhuǎn)是否大，如不偏轉(zhuǎn)或偏轉(zhuǎn)甚小，則壓電性能不好。
4.檢查示波管部分 1).檢查示波管的偏轉(zhuǎn)靈敏度 將電壓表跨接于垂直偏轉(zhuǎn)板，正表棒接示波管的第7腳，負(fù)表棒接第8腳，開機(jī)后記下掃描線在熒光屏上的位置，并記下電壓表的數(shù)值，然后調(diào)節(jié)儀器面板上的垂直位移電位器W，使掃描線向上，移動(dòng)A毫米，若此時(shí)電壓表指示電壓的變化為B伏特，則偏轉(zhuǎn)靈敏度=A/B 毫米/伏 正常偏轉(zhuǎn)靈敏度為0.35~0.54毫米/伏，若所得之值比正常值小的多，則應(yīng)換新管。 2).檢查加速極電壓 示波管的偏轉(zhuǎn)靈敏度與加速極電壓成反比，若加速極電壓過高，應(yīng)減低之。
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